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dc.contributor.author陳智en_US
dc.contributor.author楊慶榮en_US
dc.contributor.author王舜民en_US
dc.contributor.author謝嘉民en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:12:51Z-
dc.date.available2014-12-16T06:12:51Z-
dc.date.issued2014-04-11en_US
dc.identifier.govdocB82B003/00zh_TW
dc.identifier.govdocC23C016/00zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/103842-
dc.description.abstract一種製造奈米結構材料的方法,應用於形成一維奈米材料。上述方法包括下列步驟:形成一金屬層於一基底及一接著層上並對金屬層進行陽極化處理步驟以形成一具有複數個奈米孔洞的金屬化物模板,之後再沉積一源材料於奈米孔洞中及金屬化物模板上。最後依序移除金屬化物模板上之源材料及金屬化物模板以形成一維奈米材料。上述步驟中利用了陽極氧化鋁作為模板與原子層化學氣相沉積法沉積源材料,可縮短製造時間並控制材料的品質。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title製造奈米結構材料的方法zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumberI433810zh_TW
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