完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 陳智 | en_US |
| dc.contributor.author | 楊慶榮 | en_US |
| dc.contributor.author | 王舜民 | en_US |
| dc.contributor.author | 謝嘉民 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:53Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:12:53Z | - |
| dc.date.issued | 2009-07-16 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | B82B003/00 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C23C016/00 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/103859 | - |
| dc.description.abstract | 一種製造奈米結構材料的方法,應用於形成一維奈米材料。上述方法包括下列步驟:形成一金屬層於一基底上並對金屬層進行陽極化處理步驟以形成一具有複數個奈米孔洞的金屬化物模板,之後再沉積一源材料於奈米孔洞中及金屬化物模板上。最後依序移除金屬化物模板上之源材料及金屬化物模板以形成一維奈米材料。上述步驟中利用了陽極氧化鋁作為模板與原子層化學氣相沉積法沉積源材料,可縮短製造時間並控制材料的品質。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 製造奈米結構材料的方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 200930658 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
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