完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 鄭柏孝 | en_US |
dc.contributor.author | 陳士偉 | en_US |
dc.contributor.author | 邱清華 | en_US |
dc.contributor.author | 盧廷昌 | en_US |
dc.contributor.author | 郭浩中 | en_US |
dc.contributor.author | 王興宗 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:12:53Z | - |
dc.date.available | 2014-12-16T06:12:53Z | - |
dc.date.issued | 2009-07-01 | en_US |
dc.identifier.govdoc | H01S005/183 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/103865 | - |
dc.description.abstract | 一種具備透明電極及無裂縫氮化鋁/氮化鎵系列反射鏡之可電激發面射型雷射及其製作方法,係利用金屬有機氣相沈積法(MOCVD),將超晶格結構穿插使用於下層的氮化鎵/氮化鋁的布拉格反射鏡(DBR)結構,以達到無裂縫及獲得最佳的反射率與反射區段,並藉由電流阻絕層來提高電流集中性及減少漏電流的產生,且在形成上層的布拉格反射鏡結構之前,更加入透明電極做為電流擴散層,除了可以有效的提升透明度,亦可以減少吸收並增加發光效率,從而改善元件特性。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.title | 具備透明電極及無裂縫氮化鋁/氮化鎵系列反射鏡之可電激發面射型雷射及其製作方法 | zh_TW |
dc.type | Patents | en_US |
dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
dc.citation.patentnumber | 200929758 | zh_TW |
顯示於類別: | 專利資料 |