具有奈米線通道之非揮發性記憶體元件及其製造方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	林鴻志	en_US
dc.contributor.author	蘇俊榮	en_US
dc.contributor.author	徐行徽	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:12:56Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:12:56Z	-
dc.date.issued	2009-03-16	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/8246	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L027/112	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/103909	-
dc.description.abstract	一種具有奈米線通道之非揮發性記憶體元件及其製造方法,乃利用側向蝕刻方式,使側閘極側壁內縮來形成奈米線模型,從而將奈米線通道製作於側閘極側壁的介電層上,完成具有奈米線通道及透過雙閘極控制之非揮發性記憶體元件,此非揮發性記憶體元件係可達到提升資料寫入和抹除效率,並具有低電壓操作的能力,而且,本發明可在成本低和簡易步驟之製程下,完成重複性高及可量產化之奈米線元件製作。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	具有奈米線通道之非揮發性記憶體元件及其製造方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	200913162	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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