标题: 一种于氮化物半导体进行蚀刻的方法
作者: 李威仪
黄信雄
曾虹谕
公开日期: 1-十一月-2008
摘要: 本发明于氮化镓层上形成介电层,利用曝光以及显影蚀刻制程使该介电层形成条状或点状之图形,并以该介电层作为后续氮化镓层进行侧向成长(Epitaxy Lateral Overgrowth)之遮罩,在氮化镓层上方长成氮化镓厚膜,接着以湿蚀刻方式将介电层移除,并蚀刻介电层上方之氮化镓厚膜,以形成所需之特定形状。
官方说明文件#: H01L021/306
URI: http://hdl.handle.net/11536/103939
专利国: TWN
专利号码: 200842967
显示于类别:Patents


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  1. 200842967.pdf

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