标题: | 一种于氮化物半导体进行蚀刻的方法 |
作者: | 李威仪 黄信雄 曾虹谕 |
公开日期: | 1-十一月-2008 |
摘要: | 本发明于氮化镓层上形成介电层,利用曝光以及显影蚀刻制程使该介电层形成条状或点状之图形,并以该介电层作为后续氮化镓层进行侧向成长(Epitaxy Lateral Overgrowth)之遮罩,在氮化镓层上方长成氮化镓厚膜,接着以湿蚀刻方式将介电层移除,并蚀刻介电层上方之氮化镓厚膜,以形成所需之特定形状。 |
官方说明文件#: | H01L021/306 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/103939 |
专利国: | TWN |
专利号码: | 200842967 |
显示于类别: | Patents |
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