標題: 阻擋銅擴散之障礙層複合材料
作者: 崔秉鉞
黃誌鋒
李佳蓉
公開日期: 1-一月-2008
摘要: 本發明關於銅擴散障礙層複合材料或具有該材料之裝置,係由Ta與Pt所組成,Pt之摻雜量約在35原子數(at.)%以下,且於500℃以上之高溫下,該材料仍可維持非結晶之特性而可阻擋銅原子擴散並具有與Ta等同低之電阻係數。本發明之製法,包括TaPt合金材料之選取步驟,及進行該障礙層之沉積步驟,使該合金材料於一蒸鍍系統中,形成於Cu導電層與預定之隔離物之間,該預定之隔離物,可為一矽基板,或半導體裝置之閘極,或多重導線之電極等裝置其中之一。
官方說明文件#: H01L021/768
C01G055/00
C01G035/00
URI: http://hdl.handle.net/11536/104023
專利國: TWN
專利號碼: 200802697
顯示於類別:專利資料


文件中的檔案:

  1. 200802697.pdf

若為 zip 檔案,請下載檔案解壓縮後,用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。