| 標題: | 高度陣列式排列的氧化鋁-氧化鋅複合奈米線的製備方法 |
| 作者: | 陳三元 蕭繼聖 |
| 公開日期: | 1-一月-2008 |
| 摘要: | 本發明主要揭示了在一種高度陣列式排列的氧化鋁-氧化鋅複合奈米線的製備方法,其步驟至少包括:在鍍有氧化鋅薄膜的矽基板上,經由一種簡單的化學溶液法,在低溫(60-95�C)成長氧化鋅奈米線(或奈米柱),再經過浸入A1離子解膠水溶液,最後再置入氣氛爐中做快速熱處理退火。如此可得到具有單晶的wurtzite結構的氧化鋅奈米線陣列,由SEM分析可以得知,此複合奈米線直徑約為20-100nm。 |
| 官方說明文件#: | C30B029/16 C30B029/60 H01L021/208 H01L021/368 H01L033/00 C09K011/54 C09K011/64 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/104028 |
| 專利國: | TWN |
| 專利號碼: | 200801263 |
| 顯示於類別： | 專利資料 |
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