以半導體量子點加強螢光效率之高分子發光二極體

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	韋光華	en_US
dc.contributor.author	周嘉宏	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:13:17Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:13:17Z	-
dc.date.issued	2007-07-16	en_US
dc.identifier.govdoc	C09K011/06	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H05B033/14	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/104072	-
dc.description.abstract	本發明為提供可製成高分子發光二極體之奈米複材,而奈米複材是導入具表面改質之硫化鎘(量子點)於樹枝狀聚茀發光高分子而形成,並可有效地提升螢光發光效率及電激光效率,製成發光二極體元件後亦能增加元件之穩定性及電性。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	以半導體量子點加強螢光效率之高分子發光二極體	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	200726822	zh_TW
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