標題: 以半導體量子點加強螢光效率之高分子發光二極體
作者: 韋光華
周嘉宏
公開日期: 1-十一月-2006
摘要: 本發明為提供可製成高分子發光二極體之奈米複材,而奈米複材是導入具表面改質之硫化鎘(量子點)於樹枝狀聚茀發光高分子而形成,並可有效地提升螢光發光效率及電激光效率,製成發光二極體元件後亦能增加元件之穩定性及電性。
官方說明文件#: C09K011/06
H05B033/14
URI: http://hdl.handle.net/11536/106301
專利國: TWN
專利號碼: I265192
顯示於類別:專利資料


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