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dc.contributor.author羅廣禮en_US
dc.contributor.author楊宗en_US
dc.contributor.author張翼en_US
dc.contributor.author張俊彥en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:13:22Z-
dc.date.available2014-12-16T06:13:22Z-
dc.date.issued2007-04-01en_US
dc.identifier.govdocH01L021/38zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/104101-
dc.description.abstract本發明係揭露一種具有防止源汲極區摻雜離子在接面區外擴散的電晶體結構及其製作方法,其係於半導體基底上形成材質為具有摻雜離子的含碳-矽化鍺(SiGe:C)嵌入式源汲極,利用碳能夠抑制摻雜離子擴散的特性,來形成兼具低接觸電阻與能抑制摻雜離子擴散的源汲極區,進而提高元件的可靠度。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title具有防止源汲極區摻雜離子在接面區外擴散的電晶體結構及其製作方法zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumber200713470zh_TW
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  1. 200713470.pdf

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