完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 張翼 | en_US |
dc.contributor.author | 張尚文 | en_US |
dc.contributor.author | 李承士 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:13:26Z | - |
dc.date.available | 2014-12-16T06:13:26Z | - |
dc.date.issued | 2006-10-16 | en_US |
dc.identifier.govdoc | H01L021/8258 | zh_TW |
dc.identifier.govdoc | H01L021/8258 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/104147 | - |
dc.description.abstract | 本發明係為一具銅金屬化之複合物半導體元件,結構為異質接面雙載子電晶體(HBT)結構,當基板為砷化鎵基板時,其歐姆接觸層之材料為鈀/鍺/氮化鎢/銅或鉑/鈦/鉑/銅,而金屬連接線為鈦/鉑/銅;若基板為磷化銦基板時,歐姆接觸層之材料為鈦/鉑/銅或鉑/鈦/鉑/銅,金屬連接線為鈦/鉑/銅,藉由具有較佳散熱特性之銅取代金,可增加其散熱效果,進而增加元件的可靠度。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.title | 具銅金屬化之複合物半導體元件 | zh_TW |
dc.type | Patents | en_US |
dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
dc.citation.patentnumber | 200636934 | zh_TW |
顯示於類別: | 專利資料 |