p型氧化鋅薄膜之製作方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳三元	en_US
dc.contributor.author	林晉慶	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:13:30Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:13:30Z	-
dc.date.issued	2006-05-16	en_US
dc.identifier.govdoc	B32B015/04	zh_TW
dc.identifier.govdoc	B32B015/04	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/104191	-
dc.description.abstract	本發明係為一p型氧化鋅薄膜之製作方法，其為在鍍有氮化矽薄膜的矽基板上，經由磁控射頻濺鍍法，在低溫(50℃)成長氧化鋅薄膜，再經過氮離子佈值處理及熱退火處理，改善其結晶性，並提升本質性紫外光區訊號，降低可見光放射強度，使其具有高電洞濃度、高電洞載子遷移率、高穩定性及光電特性佳等特性，可應用於p–n接面和半導體異質結構的光電元件上。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	p型氧化鋅薄膜之製作方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	200615133	zh_TW
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