低溫多晶體材料及其製造方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	林炯暐	en_US
dc.contributor.author	張俊彥	en_US
dc.contributor.author	李聖琦	en_US
dc.contributor.author	李永祥	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:13:31Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:13:31Z	-
dc.date.issued	2006-05-01	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L031/0256	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L031/0256	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/104194	-
dc.description.abstract	本發明係提供一種低溫多晶體材料之製造方法及其結構。該方法係包含(a)提供一具有可吸收輻射能材料之熱傳導裝置；(b)提供一具有非晶體材料之試片；(c)將該熱傳導裝置覆於該非晶體材料試片上，其中該熱傳導裝置之該可吸收輻射能材料與該試片之該非晶體材料係以彼此接觸之方式配置；(d)提供一輻射能；以及(e)利用該熱傳導裝置吸收該輻射能並將其轉為一熱能，並以該熱傳導裝置作為媒介，將該熱能輸入該非晶體材料試片使其結晶形成該多晶體材料，其中該可吸收輻射能材料係為於步驟(e)期間不與其他物質產生反應之材料，其中該熱傳導裝置係重複使用於不同之試片上，以連續製造低溫多晶體材料。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	低溫多晶體材料及其製造方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	200614527	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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