以快速升溫方式成長之氧化層

Abstract

本發明係為一以快速升溫方式成長之氧化層，利用快速升溫爐(RTP)系統，將溫度快速升溫到900度後，以不同氣流速率的氮氣與氧氣通入RTP系統中，形成一高氮低氧濃度的環境，進行15秒的氮氧化製程，可於矽晶圓上成長出厚度僅為1 nm的氮氧化矽薄膜，其漏電流可降低至0.1 A／cm^2，比傳統的RTO oxide漏電流低約1～2個次序(orders)，並具有較佳的可靠度，可應用於晶圓及半導體等相關產業。