低溫多晶矽薄膜電晶體主動層之雷射再結晶方法

Abstract

本發明係一種低溫多晶矽薄膜電晶體主動層之雷射再結晶方法，其係利用具單一方向性之非等向性電漿蝕刻(Anisotropic Plasma Etching)在薄膜電晶體主動層側壁形成一間距矽(silicon–spacer)，該間距矽提供了一雷射側向再結晶機制與可防止雷射再結晶後主動層微縮或剝落變形等現象，此發明技術可使通道內之矽晶粒變大但在製程上不需額外光罩，如此同時提升元件特性、提高元件均勻度與節省製程成本，此技術在現今低溫多晶矽薄膜電晶體(LTPS–TFT)領域中將會是一項關鍵技術。