砷化鎵元件背面銅金屬化之製作方法

Abstract

本發明砷化鎵元件背面銅金屬化之製作方法，係將砷化鎵元件背面金屬化金屬由金改為銅，由於銅的阻值較低，且散熱與機械強度亦較金優異。因此，以銅作為金屬化金屬之元件，可改善元件的散熱、機械強度、導電度，更可增進元件的特性及可靠度。並藉由鎢(W)、氮化鎢(WN)、氮化鈦鎢(TiWN)等薄膜作為擴散阻障層，有效阻擋銅易擴散入砷化鎵基材而改變元件特性之問題。