標題: 奈米級側向成長磊晶之薄膜發光二極體及其製作方法
作者: 李佳祐
王朝勳
邱鏡學
郭浩中
公開日期: 1-十一月-2014
官方說明文件#: H01L033/16
H01L033/22
H01L033/02
URI: http://hdl.handle.net/11536/104930
專利國: TWN
專利號碼: I459592
顯示於類別:專利資料


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