完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 劉柏村 | en_US |
| dc.contributor.author | 黃震鑠 | en_US |
| dc.contributor.author | 黃羿霖 | en_US |
| dc.contributor.author | 鄭斯璘 | en_US |
| dc.contributor.author | 施敏 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:14:51Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:14:51Z | - |
| dc.date.issued | 2013-10-21 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/3105 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C23C014/14 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/104964 | - |
| dc.description.abstract | 本發明揭露一種形成鍺半導體表面保護層的方法，首先於矽晶圓上進行磊晶製程以形成鍺半導體層；再形成二氧化矽層於該鍺半導體層上以做為一閘極介電絕緣膜；通入超臨界流體至該二氧化矽層以及該鍺半導體層的界面而使該界面形成界面保護層；形成鋁薄膜於該二氧化矽層上以成為金氧半導體電容器的上電極，且以該熱蒸鍍法形成該鋁薄膜於該鍺半導體層的底部以做為該金氧半導體電容器的一下電極。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 一種形成鍺半導體表面保護層的方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I413185 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
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