高電子遷移率電晶體及其製作方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張翼	en_US
dc.contributor.author	郭建億	en_US
dc.contributor.author	許恆通	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:15:46Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:15:46Z	-
dc.date.issued	2013-08-01	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L029/778	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L021/335	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/105487	-
dc.description.abstract	一種高電子遷移率電晶體，其包含基板、緩衝層、通道層、間隙層、蕭特基層以及覆蓋層。緩衝層形成於基板上。通道層形成於緩衝層上，且包含超晶格結構，此超晶格結構係由複數層砷化銦鎵薄膜與複數層砷化銦薄膜彼此交替堆疊形成。間隙層形成於通道層上，蕭特基層形成於間隙層上，而覆蓋層則形成於蕭特基層上。此外，一種製作高電子遷移率電晶體之方法亦在此揭露。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	高電子遷移率電晶體及其製作方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I404209	zh_TW
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