統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Growth of GaAs epitaixial layers on Si substrate by using a novel GeSi buffer layer | 102 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Growth of GaAs epitaixial layers on Si substrate by using a novel GeSi buffer layer | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 20050023552.pdf | 2 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 87 |
| 美國 | 13 |
| 台灣 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 81 |
| Menlo Park | 12 |
| Shanghai | 5 |
| Kensington | 1 |
| Nanning | 1 |
| Taipei | 1 |