太陽エネルギ電池のＧｅｘＳｉ１－ｘ緩衝層をシリコンウェハ上に形成する方法。

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	張翼	en_US
dc.contributor.author	唐士軒	en_US
dc.contributor.author	林岳欽	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:16:24Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:16:24Z	-
dc.date.issued	2010-06-03	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L031/04	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/105825	-
dc.description.abstract	【課題】ＧｅｘＳｉ１－ｘ緩衝層をシリコンウェハ上に形成した太陽エネルギ電池を提供する。【解決手段】Ｓｉ基板上での高品質Ｇｅ成長を促進するため、変成ＧｅｘＳｉ１－ｘ緩衝層１０３とＳｉ基板１０１との間の接合部における歪緩和を強化するため、Ｓｉ＋をＳｉ基板上へ注入する。更に数個のＧｅｘＳｉ１‐ｘ緩衝層（Ｓｉ／Ｇｅ０．８Ｓｉ０．２／Ｇｅ０．９Ｓｉ０．１／Ｇｅ）１０３～１０５がＵＨＶＣＶＤによりＳｉ基板上部に成長する。低転移密度の純Ｇｅ層がＧｅｘＳｉ１－ｘ緩衝層上に成長する。最後に、高効率III－Ｖ太陽電池２０１～２０６がＧｅｘＳｉ１－ｘ緩衝層上に成長する。【選択図】図２	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	太陽エネルギ電池のＧｅｘＳｉ１－ｘ緩衝層をシリコンウェハ上に形成する方法。	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	JPN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	2010123916	zh_TW
顯示於類別：	專利資料