Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | チア－フア チャン | en_US |
| dc.contributor.author | チン－シェン ヤン | en_US |
| dc.contributor.author | チン－フア，チュ | en_US |
| dc.contributor.author | ペイ－チェン ユー | en_US |
| dc.contributor.author | ハオ－チュン クオ | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:16:24Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:16:24Z | - |
| dc.date.issued | 2010-02-25 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | C23C014/24 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | B82B003/00 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C23C014/30 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | C23C014/58 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/105832 | - |
| dc.description.abstract | 【課題】勾配型屈折率を備えた多孔質を含む単層構造をした透明導電性のナノ構造薄膜とその製造方法を提供する。【解決手段】電子ビームシステム１００を用いて、ターゲットソースが斜め堆積法により蒸着される。複数の調整可能な試料ステージ１０４上に蒸着基板１１４が配置される。プロセスチャンバー１０１内でガスの流量および温度を制御するため、熱源と複数のガス制御弁１０７および１０８が備えられる。蒸着後、薄膜構造と光電子特性を向上させるため、アニール工程が行われる。【選択図】図１ａ | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 斜め堆積を用いて生成されたナノ構造薄膜およびその方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | JPN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 2010043348 | zh_TW |
| Appears in Collections: | Patents | |
