光電記憶體元件、其製造以及量測方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	韋光華	en_US
dc.contributor.author	許鉦宗	en_US
dc.contributor.author	陳振嘉	en_US
dc.contributor.author	邱茂源	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:16:25Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:16:25Z	-
dc.date.issued	2013-04-21	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L051/42	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L051/48	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/105842	-
dc.description.abstract	本發明提供一種光電記憶體元件、其製造以及量測方法。根據本發明之光電記憶體元件，包含基板、絕緣層、主動層、源極以及汲極。該基板包含一閘極，且該絕緣層，形成於該基板上。該主動層，形成於該絕緣層上，特別地，該主動層係由包含共軛高分子材料以及量子點材料之複合材料所構成。該源極以及該汲極皆形成於該絕緣層上，並且皆電連接該主動層。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	光電記憶體元件、其製造以及量測方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I394306	zh_TW
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