完整後設資料紀錄
DC 欄位語言
dc.contributor.author韋光華en_US
dc.contributor.author許鉦宗en_US
dc.contributor.author陳振嘉en_US
dc.contributor.author邱茂源en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:16:25Z-
dc.date.available2014-12-16T06:16:25Z-
dc.date.issued2013-04-21en_US
dc.identifier.govdocH01L051/42zh_TW
dc.identifier.govdocH01L051/48zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/105842-
dc.description.abstract本發明提供一種光電記憶體元件、其製造以及量測方法。根據本發明之光電記憶體元件,包含基板、絕緣層、主動層、源極以及汲極。該基板包含一閘極,且該絕緣層,形成於該基板上。該主動層,形成於該絕緣層上,特別地,該主動層係由包含共軛高分子材料以及量子點材料之複合材料所構成。該源極以及該汲極皆形成於該絕緣層上,並且皆電連接該主動層。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title光電記憶體元件、其製造以及量測方法zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumberI394306zh_TW
顯示於類別:專利資料


文件中的檔案:

  1. I394306.pdf

若為 zip 檔案,請下載檔案解壓縮後,用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。