完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 林鴻志 | en_US |
| dc.contributor.author | 蘇俊榮 | en_US |
| dc.contributor.author | 徐行徽 | en_US |
| dc.contributor.author | 李冠樟 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:16:25Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:16:25Z | - |
| dc.date.issued | 2009-04-09 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L029/786 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/336 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/105846 | - |
| dc.description.abstract | 【課題】サスペンデッドナノワイヤチャネルを有するトランジスタ構造とその製造方法を提供する。【解決手段】サスペンデッドナノワイヤチャネルを有するトランジスタ構造とその製造方法は、基板と、基板上に位置するサイドゲートと、基板とサイドゲート上を被覆する誘電層と、サイドゲートの側辺に位置し、誘電層との間に気隙を有するサスペンデッドナノワイヤチャネルと、誘電層上に設置され、サスペンデッドナノワイヤチャネルの両端に分設されるソース電極とドレイン電極と、からなる。サイドゲートの静電力のサスペンデッドナノワイヤチャネルに対する吸着と分離により、等価サイドゲートの誘電層厚さを快速に変化させ、素子がスイッチ状態上で快速に切り換わる、或いは、チャネルの初期電圧を変化させる。【選択図】図１ | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | サスペンデッドナノワイヤチャネルを有するトランジスタ構造とその製造方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | JPN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | 2009076938 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
