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dc.contributor.author黄泓文en_US
dc.contributor.author盧廷昌en_US
dc.contributor.author邱清華en_US
dc.contributor.author郭浩中en_US
dc.contributor.author王興宗en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:16:25Z-
dc.date.available2014-12-16T06:16:25Z-
dc.date.issued2008-12-18en_US
dc.identifier.govdocH01L033/00zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/105849-
dc.description.abstract【課題】光電気化学(PHOTOELECTROCHEMICAL ,PEC)反応を利用して酸化反応を起こし、柱状ナノ構造体を有する発光ダイオード(LED)を形成する。【解決手段】発光ダイオード(LED)の表面に薄膜金属層をめっきし、それを熱処理した後で金属の顆粒でマスクを形成し、マスクで保護されていない部分にエッチング処理を施し、金属顆粒マスクを取り外して柱状ナノ構造体(ナノロッド)を形成し、続いて、柱状ナノ構造体(ナノロッド)が形成された発光ダイオード(LED)を光電気化学(PHOTOELECTROCHEMICAL ,PEC)反応を利用、それに一定の電流を流し、さらに水銀灯の光を照射し、P型半導体材料を除き、材料の表面積に酸化層106を形成し、最後に再度金属層107をめっきし、P型半導体材料を導通して、柱状ナノ構造体(ナノロッド)を有する発光ダイオード(LED)を形成する。【選択図】図1Fzh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title柱状ナノ構造体(ナノロッド)を利用し発光ダイオード(LED)の発光効率を引き上げる方法zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryJPNzh_TW
dc.citation.patentnumber2008306156zh_TW
顯示於類別:專利資料