標題: 半导体发光元件及其制作方法
作者: 邱清华
黄泓文
郭浩中
卢廷昌
王兴宗
赖志铭
公開日期: 18-二月-2009
摘要: 本发明有关一种半导体发光元件及其制作方法。半导体发光元件,包含基板、形成基板上的p型半导体层、形成p型半导体层上的发光层,及形成发光层上的n型半导体层,n型半导体层表面形成多数垂直基板方向且深度不小于0.2微米奈米柱体。藉加深奈米柱体深度可改变半导体发光元件发光场型,提升正向出光强度及发光效率。半导体发光元件制作方法包含:在第一基板上磊晶形成n型半导体层、发光层及p型半导体层;提供导电性基板,反转第一基板上磊晶结构层于导电基板上,使n型半导体层表面裸露;将多数球状颗粒散布n型半导体层表面做蚀刻遮罩;及以垂直导电基板方向蚀刻n型半导体层,形成多数深度不小于0.2微米奈米柱体。该制作方法可形成较大深度的奈米柱体,提高正向出光强度。
官方說明文件#: H01L033/00
URI: http://hdl.handle.net/11536/105866
專利國: CHN
專利號碼: CN101369618
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