標題: | 一維金屬奈米結構之製造方法 |
作者: | 陳昱良 錢乃瑛 裘性天 李紫原 |
公開日期: | 21-十月-2014 |
摘要: | 本發明提供一種一維金屬奈米結構之製造方法,係利用濺鍍方式濺鍍一層導電薄膜於一撓性基材上,以形成一導電基材;再將導電基材放置於電鍍溶液內進行電化學沈積,使導電基材上形成對應導電薄膜之一維金屬奈米線結構。因此,本發明的材料製作不需要複雜的微影蝕刻技術流程、及金屬奈米結構粉末混漿塗膜於基材上,即可得到具有高表面積的一維金屬奈米線線結構於撓性基材上。 |
官方說明文件#: | C25D005/02 C23C014/16 C23C014/34 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/105916 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | I457474 |
顯示於類別: | 專利資料 |