標題: 磁性薄膜對液晶分子之水平及垂直配向方法
作者: 趙如蘋
吳信穎
公開日期: 21-一月-2012
摘要: 一種磁性薄膜對液晶分子之水平及垂直配向方法,係利用一直流離子濺鍍裝置(Direct-current Ion Sputter)所生成之透明磁性薄膜,可提供液晶分子幾近垂直排列之狀態。而在經由傳統摩刷處理後之透明磁性薄膜,則可更進一步提供有預傾角之水平或垂直排列之狀態。因此,藉由控制該透明磁性薄膜之成膜條件可改變其磁特性,再由控制其摩刷條件可改變其對液晶之預傾角大小及配向模式,因而可增加其應用範圍。本發明不僅製程手續簡便,並且與傳統之直流或交流電漿源設備共用亦同樣具有高透光度、硬度及絕緣性等特性。除了可降低其成本外,該透明磁性薄膜本身具有之磁性,更無須額外之配向處理程序即可達到非接觸式(Non-contact)多重區域(Multi-domain)配向之效果。
官方說明文件#: G02F001/1337
C23C014/36
URI: http://hdl.handle.net/11536/106037
專利國: TWN
專利號碼: I356953
顯示於類別:專利資料


文件中的檔案:

  1. I356953.pdf

若為 zip 檔案,請下載檔案解壓縮後,用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。