記憶體元件及其製作方法

Abstract

本發明係揭露一種記憶體元件及其製造方法。記憶體元件包含基板、絕緣層、第一導電層、鈦酸銅鈣電阻層以及第二導電層。絕緣層形成於基板之上。第一導電層形成於絕緣層之上。鈦酸銅鈣電阻層形成於第一導電層之上。第二導電層形成於鈦酸銅鈣電阻層之上。於製作時，首先，提供基板，接著於基板之上形成絕緣層，之後於絕緣層之上形成第一導電層，然後利用溶膠凝膠法於第一導電層之上形成鈦酸銅鈣電阻層，最後，於鈦酸銅鈣電阻層之上形成第二導電層。本發明不僅符合電子產品低電壓之需求，且能在降低成本的同時，提升產品之可靠度與相容性。