半導體發光元件及其製作方法

Abstract

一種半導體發光元件，包含一基板、一形成於該基板上的p型半導體層、一形成於該p型半導體層上的發光層，及一形成於該發光層上的n型半導體層；在該n型半導體層表面形成有多數個垂直於該基板方向且深度不小於0.2微米的奈米柱體。藉由加深該等奈米柱體的深度，可以改變該半導體發光元件的發光場型，而提昇該半導體發光元件的正向出光強度及發光效率。