阻擋銅擴散之障礙層複合材料

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	崔秉鉞	en_US
dc.contributor.author	黃誌鋒	en_US
dc.contributor.author	李佳蓉	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:16:59Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:16:59Z	-
dc.date.issued	2008-08-21	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/768	zh_TW
dc.identifier.govdoc	C01G055/00	zh_TW
dc.identifier.govdoc	C01G035/00	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/106221	-
dc.description.abstract	本發明關於銅擴散障礙層複合材料或具有該材料之裝置,係由Ta與Pt所組成,Pt之摻雜量約在35原子數(at.)%以下,且於500℃以上之高溫下,該材料仍可維持非結晶之特性而可阻擋銅原子擴散並具有與Ta等同低之電阻係數。本發明之製法,包括TaPt合金材料之選取步驟,及進行該障礙層之沉積步驟,使該合金材料於一蒸鍍系統中,形成於Cu導電層與預定之隔離物之間,該預定之隔離物,可為一矽基板,或半導體裝置之閘極,或多重導線之電極等裝置其中之一。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	阻擋銅擴散之障礙層複合材料	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I300255	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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