標題: 半導體裝置之製造方法
作者: 吳耀銓
林其慶
侯智元
公開日期: 11-八月-2008
摘要: 本發明係提供一種半導體裝置之製造方法,並以晶圓接 合方式捕捉金屬誘發結晶複晶矽薄膜中殘餘金屬之方法,其 係利用鎳金屬誘發側向結晶誘發非晶矽(��-Si)結晶以形成 優異性能之低溫複晶矽薄膜電晶體。然以目前的結晶技術, 通常會使得Ni與NiSi2沉積殘餘而使得其性能降低。在本發 明中係利用已沉積非晶矽之晶圓作為初始的Ni吸氣基板。 藉由該吸氣基板與NILC複晶矽膜的黏合,使其在NILC複晶 矽膜中的Ni金屬殘餘物大幅的降低。
官方說明文件#: H01L021/20
H01L029/786
URI: http://hdl.handle.net/11536/106225
專利國: TWN
專利號碼: I299881
顯示於類別:專利資料


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