| 標題: | 半導體裝置之製造方法 |
| 作者: | 吳耀銓 林其慶 侯智元 |
| 公開日期: | 11-八月-2008 |
| 摘要: | 本發明係提供一種半導體裝置之製造方法,並以晶圓接 合方式捕捉金屬誘發結晶複晶矽薄膜中殘餘金屬之方法,其 係利用鎳金屬誘發側向結晶誘發非晶矽(��-Si)結晶以形成 優異性能之低溫複晶矽薄膜電晶體。然以目前的結晶技術, 通常會使得Ni與NiSi2沉積殘餘而使得其性能降低。在本發 明中係利用已沉積非晶矽之晶圓作為初始的Ni吸氣基板。 藉由該吸氣基板與NILC複晶矽膜的黏合,使其在NILC複晶 矽膜中的Ni金屬殘餘物大幅的降低。 |
| 官方說明文件#: | H01L021/20 H01L029/786 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/106225 |
| 專利國: | TWN |
| 專利號碼: | I299881 |
| 顯示於類別： | 專利資料 |
