標題: | 控制奈米碳管管束密度的方法與奈米碳管的製造方法 |
作者: | 郭正次 潘扶民 陳柏林 張峻愷 |
公開日期: | 21-七月-2008 |
摘要: | 一種控制奈米碳管管束密度的方法,適於利用一化學氣 相沉積法在一陽極氧化鋁模板的奈米級孔洞內成長奈米碳 管,其特徵在於陽極氧化鋁模板係經由一電解拋光步驟和 之後的兩階段陽極氧化處理,以形成具有陣列排列的奈米 級孔洞;以及利用控制化學氣相沉積法的反應氣氛之種類 與比例,來控制奈米碳管之管束密度。因此,本發明能有 效提昇奈米碳管之應用性。 |
官方說明文件#: | B82B003/00 C23C016/26 C23C016/458 C01B031/02 B82B003/00 C23C016/26 C23C016/458 C01B031/02 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/106228 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | I299032 |
顯示於類別: | 專利資料 |