控制奈米碳管管束密度的方法與奈米碳管的製造方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	郭正次	en_US
dc.contributor.author	潘扶民	en_US
dc.contributor.author	陳柏林	en_US
dc.contributor.author	張峻愷	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:17:00Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:17:00Z	-
dc.date.issued	2008-07-21	en_US
dc.identifier.govdoc	B82B003/00	zh_TW
dc.identifier.govdoc	C23C016/26	zh_TW
dc.identifier.govdoc	C23C016/458	zh_TW
dc.identifier.govdoc	C01B031/02	zh_TW
dc.identifier.govdoc	B82B003/00	zh_TW
dc.identifier.govdoc	C23C016/26	zh_TW
dc.identifier.govdoc	C23C016/458	zh_TW
dc.identifier.govdoc	C01B031/02	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/106228	-
dc.description.abstract	一種控制奈米碳管管束密度的方法,適於利用一化學氣相沉積法在一陽極氧化鋁模板的奈米級孔洞內成長奈米碳管,其特徵在於陽極氧化鋁模板係經由一電解拋光步驟和之後的兩階段陽極氧化處理,以形成具有陣列排列的奈米級孔洞;以及利用控制化學氣相沉積法的反應氣氛之種類與比例,來控制奈米碳管之管束密度。因此,本發明能有效提昇奈米碳管之應用性。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	控制奈米碳管管束密度的方法與奈米碳管的製造方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I299032	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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