完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 陳衛國 | en_US |
| dc.contributor.author | 柯文政 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:17:01Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:17:01Z | - |
| dc.date.issued | 2007-12-11 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L033/00 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | B82B001/00 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/106244 | - |
| dc.description.abstract | 本發明提供一種具有奈米粒之多波長發光元件結構及製法，主要特徵係該發光元件結構具有多層堆疊主動層，該主動層之每一對堆疊層包含低能隙位能井層4與高能隙位能障層3，該多層堆疊主動層內至少一堆疊層內具有奈米粒結構，其中該多層堆疊主動層所發光波長可由堆疊層內部分(或全部)含奈米粒之發光波長；或堆疊層內部分(或全部)不含奈米粒之發光波長所組成。另一種結構中，多層堆疊主動層結構之部份(或全部)發光波長用以激發一種(含)以上螢光波長之螢光體，此結構(如：螢光轉換發光元件結構)之發光波長可以由部分多層堆疊主動層本身發光與部分(或全部)螢光體之發光組成。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 多波長發光元件之奈米粒結構及其製法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I291247 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
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