Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 徐文祥 | en_US |
dc.contributor.author | 孫翊庭 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:17:02Z | - |
dc.date.available | 2014-12-16T06:17:02Z | - |
dc.date.issued | 2007-11-21 | en_US |
dc.identifier.govdoc | G03F007/20 | zh_TW |
dc.identifier.govdoc | G02B003/00 | zh_TW |
dc.identifier.govdoc | H01L021/00 | zh_TW |
dc.identifier.govdoc | G03F007/20 | zh_TW |
dc.identifier.govdoc | G02B003/00 | zh_TW |
dc.identifier.govdoc | H01L021/00 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/106246 | - |
dc.description.abstract | 本發明係提供一種超半球固態浸沒式透鏡之製法,係於一基材上塗佈正光阻層後,以第一、二片光罩進行第一、二次曝光,可經由第一次足量曝光在正光阻層上產生之圖案來進行對準,使得第二片光罩上之曝光圖案可經由對準轉移到正光阻層上的特定區域,接著進行回流(reflow),即可形成超半球固態浸沒式透鏡(SSIL);可使整個製程容易而不需昂貴或是複雜的設備即可完成,且方便利用後續的半導體製程額外製作其他光學元件;與已製作之超半球固態浸沒式透鏡(SSIL)作整合,所以不需組裝即可製作具有功能性的元件,進而達到易於製作,且應用面廣泛易與其他光學元件作整合,利於批次大量生產。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.title | 超半球固態浸沒式透鏡之製法 | zh_TW |
dc.type | Patents | en_US |
dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
dc.citation.patentnumber | I290266 | zh_TW |
Appears in Collections: | Patents |
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