完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 朝春光 | en_US |
dc.contributor.author | 陳建仲 | en_US |
dc.contributor.author | 陳蓉萱 | en_US |
dc.contributor.author | 郭金國 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:17:03Z | - |
dc.date.available | 2014-12-16T06:17:03Z | - |
dc.date.issued | 2007-08-11 | en_US |
dc.identifier.govdoc | C25D011/04 | zh_TW |
dc.identifier.govdoc | C25D011/04 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/106258 | - |
dc.description.abstract | 本發明提出一種具陣列式奈米孔洞之氧化鋁薄膜的製造方法,首先提供一商用鋁基材,將商用鋁基材經過退火處理,再經過電解拋光處理,以使鋁基材表面呈現鏡面效果,並接著進行陽極處理,使鋁基材表面上形成一含有奈米級之數孔洞的氧化鋁薄膜,且孔洞呈現陣列式排列,再來進行熱處理,使鋁基材產生氧化反應,而使部分較小孔洞被產生氧化反應之氧化物因自我擴散效應填滿,使得孔洞均一化,最後再進行擴孔處理,以使孔洞擴張。本發明可簡化製程、便於控制製造過程之操作,並可在同時降低成本下,在氧化鋁薄膜上得出均一孔徑且具陣列式排列之奈米孔洞分佈。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.title | 具陣列式奈米孔洞之氧化鋁薄膜的製造方法 | zh_TW |
dc.type | Patents | en_US |
dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
dc.citation.patentnumber | I285225 | zh_TW |
顯示於類別: | 專利資料 |