標題: | 多位元電阻切換記憶體元件與陣列 |
作者: | 侯拓宏 吳仕傑 |
公開日期: | 1-九月-2014 |
摘要: | 本發明提供一種多位元電阻切換記憶體元件及陣列。每一記憶體元件可形成多個導通路徑,導通路徑彼此獨立,且任一導通路徑之電阻可為高電阻狀態或低電阻狀態,而形成多位元電阻切換記憶體元件。利用多位元電阻切換記憶體元件排列而成之陣列,可提供結構簡單、高密度、高效能以及低成本的記憶體裝置。 |
官方說明文件#: | H01L027/24 G11C008/12 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/106283 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | I451570 |
顯示於類別: | 專利資料 |