利用晶體成長過濾基板而進行鎳誘發非晶矽結晶

標題:	利用晶體成長過濾基板而進行鎳誘發非晶矽結晶
作者:	吳耀銓胡國仁賴育銘侯智元
公開日期:	21-十一月-2006
摘要:	本發明關於利用鎳誘發非晶矽結晶方法而製造出大的多晶矽顆粒，其利用背面預先鍍上Ni之矽晶圓當做Ni的晶種層以控制Ni擴散的數量，及採取壓印技術以控制多晶矽成長之成核位置，而製造出大的多晶矽顆粒。
官方說明文件#:	H01L021/316
URI:	http://hdl.handle.net/11536/106296
專利國:	TWN
專利號碼:	I267142
顯示於類別：	專利資料

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