標題: 降低化學氣相沉積銅膜電阻率及提高銅膜Cu(111)/Cu(200)晶向比之電漿處理製程
作者: 陳茂傑
林成利
陳鵬森
公開日期: 11-Sep-2006
摘要: 本發明關於一種新穎的半導體製程,其特徵在於基板的電漿前置處理及/或後續的銅膜退火處理,利用此項處理步驟可以沉積出具有低電阻率及Cu(111)/Cu(200)高晶向比的化學氣相沉積銅膜,而改善化學氣相沉積銅膜之特性。
官方說明文件#: H01L021/205
C23C016/513
URI: http://hdl.handle.net/11536/106319
專利國: TWN
專利號碼: I261873
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