完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 張原銘 | en_US |
| dc.contributor.author | 莊振益 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:17:16Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:17:16Z | - |
| dc.date.issued | 2014-09-01 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | B82B003/00 | zh_TW |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/3065 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/106327 | - |
| dc.description.abstract | 一種多孔奈米結構之製作方法，係藉由在一半導體基材上進行一濺鍍製程，以形成一金屬奈米網格陣列。之後，再對上述之半導體基材與金屬奈米網格陣列進行一乾蝕刻製程，以在半導體基材上形成一多孔奈米結構。利用此種製作方法，僅需兩道製程步驟，即可完成高性能之抗反射多孔矽奈米仿生結構的製作，相較於習知，可有效兼具減少繁瑣製程步驟以及具備高抗反射性之優點。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 多孔奈米結構之製作方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I450853 | zh_TW |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
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