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dc.contributor.author鄭晃忠en_US
dc.contributor.author王志良en_US
dc.contributor.author詹爵魁en_US
dc.contributor.author史德智en_US
dc.contributor.author郭孟維en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:17:17Z-
dc.date.available2014-12-16T06:17:17Z-
dc.date.issued2006-01-11en_US
dc.identifier.govdocC23C014/46zh_TW
dc.identifier.govdocC23C014/46zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/106346-
dc.description.abstract本發明提供一種鐵電元件之製造方法及鐵電材料之熱處理方法,係在形成鐵電薄膜之後,採用低能量之雷射退火為第一階段處理,以使鐵電薄膜表面形成結晶核並改善薄膜內應力狀態,接著施以高能量之第二階段熱處理,以大幅改善整體鐵電薄膜結晶結構,進而獲得良好之鐵電特性。因此本發明提供一種低製程溫度及低熱應力之鐵電材料熱處理方法,可有效降低交互擴散及低熔點成分的揮發,具有高可靠、低熱處理成本、快速熱處理、元件產出效率高等功效。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title鐵電元件之製造方法及鐵電材料之熱處理方法zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumberI247045zh_TW
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  1. I247045.pdf

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