完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 鄭晃忠 | en_US |
dc.contributor.author | 王志良 | en_US |
dc.contributor.author | 詹爵魁 | en_US |
dc.contributor.author | 史德智 | en_US |
dc.contributor.author | 郭孟維 | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:17:17Z | - |
dc.date.available | 2014-12-16T06:17:17Z | - |
dc.date.issued | 2006-01-11 | en_US |
dc.identifier.govdoc | C23C014/46 | zh_TW |
dc.identifier.govdoc | C23C014/46 | zh_TW |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/106346 | - |
dc.description.abstract | 本發明提供一種鐵電元件之製造方法及鐵電材料之熱處理方法,係在形成鐵電薄膜之後,採用低能量之雷射退火為第一階段處理,以使鐵電薄膜表面形成結晶核並改善薄膜內應力狀態,接著施以高能量之第二階段熱處理,以大幅改善整體鐵電薄膜結晶結構,進而獲得良好之鐵電特性。因此本發明提供一種低製程溫度及低熱應力之鐵電材料熱處理方法,可有效降低交互擴散及低熔點成分的揮發,具有高可靠、低熱處理成本、快速熱處理、元件產出效率高等功效。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.title | 鐵電元件之製造方法及鐵電材料之熱處理方法 | zh_TW |
dc.type | Patents | en_US |
dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
dc.citation.patentnumber | I247045 | zh_TW |
顯示於類別: | 專利資料 |