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dc.contributor.author陳三元en_US
dc.contributor.author林晉慶en_US
dc.contributor.author陳虹蓓en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:17:18Z-
dc.date.available2014-12-16T06:17:18Z-
dc.date.issued2005-11-11en_US
dc.identifier.govdocH01L021/44zh_TW
dc.identifier.govdocH01L021/44zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/106354-
dc.description.abstract本發明一種高度陣列式排列具摻雜元素之P型氧化鋅奈米結構製造方法,其係在鍍有氧化鋅薄膜的矽基板上,經由化學溶液法在低溫(55-95℃)環境下成長陣列式排列之氧化鋅奈米結構,接著再經過氨氣(NH3)電漿處理使氮離子藉著表面吸附或缺陷路徑來擴散而形成氮摻雜P型氧化鋅奈米結構。因此,本發明可製造規則排列的氮摻雜氧化鋅奈米線,並且可應用在p-n接面和半導體異質結構的光電元件上,具有高可靠、低熱處理成本、快速熱處理、元件產出效率高等功效。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title高度陣列式排列具摻雜元素之P型氧化鋅奈米結構製造方法zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumberI243433zh_TW
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  1. I243433.pdf

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