製作自行聚合奈米粒之方法

Abstract

一種用以成長奈米粒的方法，係可在任何晶格匹配度材料之緩衝層上，不需透過圖案遮罩(mask)之製作，即可自行聚合方式(self-assembled)成長包含III-V族、II- VI族或IV-IV族材料之二元、三元以上化合物之奈米粒為特徵。 該方法係在基板上先成長任一種材料之緩衝層，然後於適當溫度範圍內完成週期性流量調制磊晶成長，包含：在通入第二反應物前，先通入清除氣體並調制第一反應物至較低第一莫耳流量範圍，致使通入之第二反應物得以在緩衝層上形成金屬或該高金屬含量化合物島狀物，再通入清除氣體以清除殘餘未形成金屬或高金屬含量化合物島狀物之第二反應物，再調制第一反應物至較高第二莫耳流量範圍使該金屬或該高金屬含量化合物島狀物可以形成奈米粒。最後在完成週期性流量調制磊晶成長後，於較高之成長溫度下進行再結晶化步驟，以形成結構性佳之高品質奈米粒。