低溫多晶矽薄膜電晶體主動層之雷射再結晶方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	葉清發	en_US
dc.contributor.author	陳添富	en_US
dc.contributor.author	羅正忠	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:17:21Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:17:21Z	-
dc.date.issued	2005-04-11	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L029/786	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L029/786	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/106396	-
dc.description.abstract	本發明係一種低溫多晶矽薄膜電晶體主動層之雷射再結晶方法，其係利用具單一方向性之非等向性電漿蝕刻(Anisotropic Plasma Etching)在薄膜電晶體主動層側壁形成一間距矽(silicon-spacer)，該間距矽提供了一雷射側向再結晶機制與可防止雷射再結晶後主動層微縮或剝落變形等現象，此發明技術可使通道內之矽晶粒變大但在製程上不需額外光罩，如此同時提升元件特性、提高元件均勻度與節省製程成本，此技術在現今低溫多晶矽薄膜電晶體(LTPS-TFT)領域中將會是一項關鍵技術。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	低溫多晶矽薄膜電晶體主動層之雷射再結晶方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I231046	zh_TW
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