平面光波導放大器用之高功率及低溫製程鉺、鐿共摻雜氧化鈦薄膜材料

Abstract

本案係為一種以氧化鈦材料來當作母材的鉺、鐿共摻雜氧化鈦薄膜，其藉由鐿離子的共摻雜，將使得此薄膜所放射出的~1.54μm螢光的發光強度比鉺、鋁共摻雜氧化矽薄膜的螢光強度強約17倍，且此螢光頻譜的半高寬亦增寬約1.4倍，此外，同時此薄膜亦具有較低的製程溫度(比鉺、鐿共摻雜氧化矽之製程溫度低~300℃)，故其可應用在積體光學中平面光波導放大器的製作上。