雙觸發矽控整流元件與使用其之靜電保護電路

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	柯明道	en_US
dc.contributor.author	徐國鈞	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:17:25Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:17:25Z	-
dc.date.issued	2004-11-01	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L023/60	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L023/60	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/106421	-
dc.description.abstract	一種雙觸發矽控整流元件與使用其之靜電保護電路。此種雙觸發矽控整流元件係在一個P型基底中配置了數個 N+擴散區域、數個P+擴散區域、第一N型井區域、第二N型井區域和第三N型井區域。每一個N+擴散區域和P+擴散區域中間，都以淺溝渠結構加以隔離。在P+擴散區域內的其中二個，係雙觸發矽控整流元件的P型觸發區。而在N+擴散區域內的其中二個，係雙觸發矽控整流元件的N型觸發區。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	雙觸發矽控整流元件與使用其之靜電保護電路	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I223432	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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