砷化鎵元件背面銅金屬化之製作方法

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	李承士	en_US
dc.contributor.author	張翼	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-16T06:17:25Z	-
dc.date.available	2014-12-16T06:17:25Z	-
dc.date.issued	2004-10-21	en_US
dc.identifier.govdoc	H01L021/203	zh_TW
dc.identifier.govdoc	H01L021/203	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/106423	-
dc.description.abstract	本發明砷化鎵元件背面銅金屬化之製作方法，係將砷化鎵元件背面金屬化金屬由金改為銅，由於銅的阻值較低，且散熱與機械強度亦較金優異。因此，以銅作為金屬化金屬之元件，可改善元件的散熱、機械強度、導電度，更可增進元件的特性及可靠度。並藉由鎢(W)、氮化鎢(WN)、氮化鈦鎢(TiWN)等薄膜作為擴散阻障層，有效阻擋銅易擴散入砷化鎵基材而改變元件特性之問題。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	砷化鎵元件背面銅金屬化之製作方法	zh_TW
dc.type	Patents	en_US
dc.citation.patentcountry	TWN	zh_TW
dc.citation.patentnumber	I222675	zh_TW
顯示於類別：	專利資料

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