完整後設資料紀錄
DC 欄位語言
dc.contributor.author葉清發en_US
dc.contributor.author陳添富en_US
dc.date.accessioned2014-12-16T06:17:26Z-
dc.date.available2014-12-16T06:17:26Z-
dc.date.issued2004-09-01en_US
dc.identifier.govdocH01L029/786zh_TW
dc.identifier.govdocH01L029/786zh_TW
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/106428-
dc.description.abstract【發明摘要】 本發明係一種製作複晶矽薄膜電晶體之方法,係可改善複晶矽薄膜電晶體的電特性與可靠度,在傳統四道光罩製作薄膜電晶體之前,先做選擇性氧化矽薄膜,此技術除了可利用雷射側向再結晶來提高複晶矽薄膜電晶體的場效載子移動率之外,具厚源極(Thick Source)/汲極(Thick Drain)且薄通道(Thin Channel)結構更可降低靠近汲極(Drain)端的側向電場及通道的缺陷密度,因而可改善薄膜電晶體的可靠度。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.title製作複晶矽薄膜電晶體之方法zh_TW
dc.typePatentsen_US
dc.citation.patentcountryTWNzh_TW
dc.citation.patentnumberI220795zh_TW
顯示於類別:專利資料


文件中的檔案:

  1. I220795.pdf

若為 zip 檔案,請下載檔案解壓縮後,用瀏覽器開啟資料夾中的 index.html 瀏覽全文。